Loading...

Zeiss Sigma 300

Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM; Scanning Electron Microscope), odaklanmış bir elektron demeti ile numune yüzeyini tarayarak görüntü elde eden bir elektron mikroskobu türüdür. Elektronlar numunedeki atomlarla etkileşerek numune yüzeyindeki topografi ve kompozisyon hakkında bilgiler içeren farklı sinyaller üretir.

Genel Bilgi

Taramalı elektron mikroskobu (SEM; Scanning Electron Microscope), odaklanmış bir elektron demeti ile numune yüzeyini tarayarak görüntü elde eden bir elektron mikroskobu türüdür.

Elektronlar numunedeki atomlarla etkileşerek numune yüzeyindeki topografi ve kompozisyon hakkında bilgiler içeren farklı sinyaller üretir. SEM’de görüntü oluşturmak için en çok, elektron demeti tarafından uyarılan numune atomlarının yaydığı ikincil elektronlardan faydalanılır.

Numunenin farklı bölgelerinden kopan ikincil elektronların sayısındaki değişim öncelikle demetin yüzeyle buluşma açısına, yani yüzeyin topografisine bağlıdır. İkincil elektronların yanında geri saçılan elektronlar, karakteristik X-ışınları, ile sinyaller elde edilerek amaca uygun topografi ve kompozisyon analizleri yapılır.

Taramalı Elektron Mikroskobu’nda (SEM) sıvı olmayan ve sıvı özellik taşımayan her türlü iletken olan olmayan numune incelenebilir. Her çeşit metaller, tekstiller, fiberler, plastikler polimerler, parçacıklar (kum, çakıl, polen gibi) vs incelenebilir.

İletken olmayan numuneler çok ince (yaklaşık 3 Å/saniye) iletken malzemeyle kaplanarak incelenebilir hale getirilebilir.

Schottky Field-Emission

Sistem Schottky Field-Emission elektron tabancasına sahiptir ve 4 Segmentli Backscatter Elektron Dedektörü (BSD) bulunmaktadır.

Yüksek Çözünürlük

Cihazın 1 kV çözünürlük değeri 2.3 nm, 15 kV çözünürlük değeri 1.5nm’dir.

Milyon Kez Büyütme

İkincil elektron dedektörü (Secondary Electron Detector) bulunmaktadır ve x1.000.000 büyütme yapılabilmektedir.

2D Haritalama

EDX dedektörü ile nokta analiz ve iki boyutlu haritalama yapılabilmektedir.

Kaliteli Topografik Görüntü

In-Lens dedektör sayesinde daha düşük voltajda ve daha küçük çalışma mesafesinde çok daha iyi topografik görüntüler elde edilebilmektedir

Teknik Özellikler

Schottky Thermal Field Emitter

1.2nm (15kV)
2.2nm (1kV)

10× – 1.000.000×

4 pA – 20 nA (40 nA & 100 nA Option)

2 – 133 Pa