Süss Microtec MBJ4
Litografide maske hizalayıcı olarak ve örnek üzerindeki foto-direnç materyalini UV ışığa istenilen süre kadar maruz bırakmak amacıyla kullanılır. Litoğrafi işleminin yapılabilmesi için temel elemandır.
Genel Bilgiler
Litografide maske hizalayıcı olarak ve örnek üzerindeki foto-direnç materyalini UV ışığa istenilen süre kadar maruz bırakmak amacıyla kullanılır. Litoğrafi işleminin yapılabilmesi için temel elemandır.
Litoğrafi işlemleri ile nano boyutlarda sensörler, yarı iletken tabanlı elektronik aygıtlar üretilebilmektedir.
3 Mod İşlem
Kontak, Hard(1 μm), Soft(2 μm), Vakum(0.8 μm) modlarına sahiptir ve titreşim yalıtımı masası mevcuttur.
1 Mikron Çözünürlük
1.0 mikron veya daha küçük çözünürlük ile litoğrafi gerçekleştirilebilmektedir ve sistemde 5×5” ve 2×2” maskeler için maske tutacakları mevcuttur.
Numune Tutucu
4” ve 2” çapındaki örnekler için vakum altında örnek tutucu bulunmaktadır
150mm Yuvarlak – 100mm Kare Alttaş
Cihaz 150 mm yuvarlak ya da 100 mm kare alttaşların kullanımına uygundur.
Wet Bench
Optik Sistemi Mikro Optik (MO) Pozlama Optiği özelliğine sahiptir ve 0.8 μm Sistem 6 inçlik Wet Bench içine monte edilmiştir.
Teknik Özellikler
Çözünürlük
- UV 400: 350 – 450 nm (g, h, i-line)
- UV 300: 280 – 350 nm
- UV 250: 240 – 260 nm
- UV 250 / 300 / 400: 240 – 450 nm
Hizalama Çözünürlüğü
MA Movement Range
X: ± 5mm
Y: ± 5mm
Theta: ± 5°
Mechanical Resolution
X, Y: 0.1μm
Theta: 4 x 10-5°
Numune Ölçüleri
Wafer Size
1 up to 100 mm / 4″ (round)
Max. Substrate Size
100 x 100 mm
Min. Pieces
5 x 5 mm
Wafer Thickness
Up to 4 mm
Mask Size Standard
2″ x 2″ up to 5″ x 5″ (SEMI)
Mask Thickness
Up to 4.8 mm / 190 mil
Mikroskop (TSA)
Movement Range
X: ± 40mm
Y: + 30 – 50mm
Theta: ± 4°
Hizalama Metotları
Top Side Alignment (TSA) Accuracy
< 0.5 μm (with SUSS recommended wafer targets)
Transmitted Infrared Alignment (IR) Accuracy
< 5 μm (2 μm under special process conditions)
Alignment Gap
10 – 50μm
Vakum Seviyesi
Vacuum
< – 0.8bar < 200hPa abs
Compressed Air
5.5 bar (81 psi)
Nitrogen
> 1.5 bar (22 psi)
